专利详情

专利名称	制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法
申请号	CN200810226288.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101740384A	公开（授权）日	2010.06.16
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	王晓亮;张明兰;肖红领;王翠梅;唐健;冯春;姜丽娟
主分类号	H01L21/335(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/335(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I
专利有效期	制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法至制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法，包括以下步骤：在衬底上生长氮化镓成核层；在氮化镓成核层上生长氮化镓缓冲层；在氮化镓缓冲层上生长高迁移率氮化镓层；在高迁移率氮化镓层上生长氮化铝插入层；在氮化铝插入层上生长铝镓氮势垒层；在铝镓氮势垒层上生长氮化铟盖帽层；刻蚀氮化铟盖帽层；制备源、漏欧姆接触；制备栅金属；电极金属加厚。利用本发明，降低了制备成本，简化了制备工艺，提高了工艺的可靠性。