一种制备金属性金属氮化物薄膜的方法
- 申请号：CN200810226687.5
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN101740369A
- 公开(公开)日：2010.06.16
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种制备金属性金属氮化物薄膜的方法 | ||
| 申请号 | CN200810226687.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101740369A | 公开（授权）日 | 2010.06.16 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 陈世杰;王文武 |
| 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种制备金属性金属氮化物薄膜的方法 至一种制备金属性金属氮化物薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备金属性金属氮化物薄膜的方法，该方法包括：采用化学方法制备绝缘性金属氮化物薄膜；用Ar离子轰击该绝缘性金属氮化物薄膜表面，减小该绝缘性金属氮化物薄膜中氮元素的含量，将该绝缘性金属氮化物薄膜转变为金属性金属氮化物薄膜。利用本发明，可以有效地调节某些金属氮化物薄膜的原子组分，进而改性该薄膜的物理及电学特性，这使得利用化学合成方法制备金属氮化物栅电极的应用成为可能。 | ||
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