专利详情

专利名称	互补型金属氧化物半导体晶体管器件及其制作方法
申请号	CN200810227483.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101740570A	公开（授权）日	2010.06.16
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王文武;陈世杰
主分类号	H01L27/092(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/092(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I
专利有效期	互补型金属氧化物半导体晶体管器件及其制作方法至互补型金属氧化物半导体晶体管器件及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种互补型金属氧化物半导体(CMOS)晶体管器件及其制作方法。该CMOS晶体管器件包含硅衬底、第一晶体管和第二晶体管。本发明提供的这种具有主高k栅介质层和超薄高k界面层结构结构的CMOS晶体管器件及其制作方法，有效地解决32纳米以下技术代CMOS器件中由于使用高k电介质而带来的高阈值电压问题。采用本发明的CMOS器件结构，通过在主高k层下方加入一层超薄高k界面层结构来达到有效控制CMOS器件阈值电压的目的。