专利详情

专利名称	多流向元胞集成的LDMOS功率器件
申请号	CN201110187985.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102867826A	公开（授权）日	2013.01.09
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	姜一波;杜寰
主分类号	H01L27/088(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/088(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I
专利有效期	多流向元胞集成的LDMOS功率器件至多流向元胞集成的LDMOS功率器件	法律状态	专利申请权、专利权的转移
说明书摘要	本发明实施例公开了一种LDMOS功率器件，包括：半导体基底；多边形状的LDMOS阳极元胞和多边形状的LDMOS阴极元胞，其中，所述阳极元胞和阴极元胞交错排列于所述半导体基底之中；位于所述阳极元胞和阴极元胞之间的漂移区；将所有LDMOS阳极元胞连接得到的正极，以及将所有LDMOS阴极元胞连接得到的负极。本发明公开的上述方案，通过在器件的阳极元胞和阴极元胞之间形成多流形式的电流，电流产生的功率耗散分布更加均匀，从而使器件具有更好的散热性能，提高了其可靠性与稳定性。此外，本发明公开的上述方案，使得采用多边形元胞集成结构的多流向元胞集成LDMOS功率器件具有更高的集成度以及更小的栅电阻Rg。