专利详情

专利名称	一种光栅辅助纳米成像的光刻方法
申请号	CN201210365973.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102866594A	公开（授权）日	2013.01.09
申请（专利权）人	中国科学院光电技术研究所	发明（设计）人	罗先刚;王长涛;赵泽宇;王彦钦;黄成;陶兴;刘玲;杨磊磊;蒲明薄;杨欢
主分类号	G03F7/20(2006.01)I	IPC主分类号	G03F7/20(2006.01)I;G02B5/18(2006.01)I
专利有效期	一种光栅辅助纳米成像的光刻方法至一种光栅辅助纳米成像的光刻方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种光栅辅助纳米成像的光刻方法，纳米物体或纳米图形掩模位于物方区域，在纳米物体或纳米图形掩模前放置一物方光栅，该光栅作用在于将高频倏逝波转化为传输波；在物方光栅外的远场区域放置一光学成像镜头组，利用该镜头组实现对光场分布投影成像。在光学成像镜头组另一侧放置一像方光栅，将传输波转化为高频倏逝波，最后在像方光栅下的成像区域成像。本发明利用两个光栅对传输波和倏逝波进行转化，同时利用光学成像镜头组实现对光场分布投影成像，得到了亚波长尺度的成像，突破了常规超衍射材料近场限制，物像空间位置关系可处于远场范围，且视场不受限于超衍射材料的损耗、加工困难等因素，拓展到与传统成像光学系统视场相当的尺寸。