专利详情

专利名称	一种晶体管及其制作方法和包括该晶体管的半导体芯片
申请号	CN201110188060.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102867748A	公开（授权）日	2013.01.09
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	尹海洲;罗军;朱慧珑;骆志炯
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I
专利有效期	一种晶体管及其制作方法和包括该晶体管的半导体芯片至一种晶体管及其制作方法和包括该晶体管的半导体芯片	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	提供了一种晶体管及其制作方法和包括该晶体管的半导体芯片。制作晶体管的方法可以包括下面的步骤：在半导体衬底上确定有源区，在所述有源区上形成栅叠层、主侧墙和源漏区，所述主侧墙环绕所述栅叠层，所述源漏区嵌于所述有源区中且自对准于所述主侧墙的两侧；环绕所述主侧墙形成半导体侧墙，并沿所述栅堆叠的宽度方向将所述半导体侧墙的端部断开以使得所述源漏区隔离；在所述源漏区和半导体侧墙表面覆盖一层金属或合金，并进行退火，以使得所述源漏区表面形成金属硅化物，同时使得所述半导体侧墙形成硅化物侧墙。这样减小了镍原子或者离子经由源漏延伸区进入沟道区导致晶体管失效的风险。