专利详情

专利名称	用于实现零极点型高阶滤波器的跨导-电容双二阶单元
申请号	CN200810226686.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101741346A	公开（授权）日	2010.06.16
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	陈勇;周玉梅;卫宝跃
主分类号	H03H11/04(2006.01)I	IPC主分类号	H03H11/04(2006.01)I;H03H11/12(2006.01)I
专利有效期	用于实现零极点型高阶滤波器的跨导-电容双二阶单元至用于实现零极点型高阶滤波器的跨导-电容双二阶单元	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种用于实现零极点型高阶滤波器的跨导-电容双二阶单元，包括：一第一级跨导-电容积分单元，包括两个NMOS晶体管和一个电容，用于将接收的输入电压信号转换成电流信号，并给电容充电；一第二级跨导-电容积分单元，包括两个PMOS晶体管和一个电容，用于将第一级积分单元输出的电压信号转换成电流信号，并给电容充电；一内部堆叠管，包括两个PMOS晶体管，控制输出共模电压，并用于与第一级积分单元和第二级积分单元一起综合复数极点；一电流源，用于向跨导-电容双二阶单元的支路提供电流；一同相前馈电容元件，包括两个电容，用于确定跨导-电容双二阶单元的复数共轭零点特性。利用本发明，实现了零极点型高阶滤波器，降低了功耗。