专利详情

专利名称	一种熔盐法晶体生长用密闭单晶生长炉
申请号	CN201110195895.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102877116A	公开（授权）日	2013.01.16
申请（专利权）人	中国科学院理化技术研究所	发明（设计）人	刘丽娟;王晓洋;刘春雷;陈创天
主分类号	C30B9/12(2006.01)I	IPC主分类号	C30B9/12(2006.01)I
专利有效期	一种熔盐法晶体生长用密闭单晶生长炉至一种熔盐法晶体生长用密闭单晶生长炉	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	熔盐法晶体生长用密闭单晶生长炉包括：绕有电阻丝的陶瓷套管式炉膛；位于炉膛外的密闭桶形空心双层不锈钢外炉壳；装于炉壳内与炉膛间的耐火保温砖/棉；穿过炉壳伸至炉膛外壁的热电偶；盖于炉膛上端口的耐火保温砖炉盖；炉盖中心和两侧设第一垂向中心通孔和观察孔；炉壳内装循环流动的冷却水；炉壳壁上设抽气和进气口；炉壳盖中心设与第一垂向中心通孔相对的第二垂向中心通孔和石英玻璃窗口；炉壳内充氛围气；磁流体设于炉壳上方，与炉壳用波纹管连接；籽晶杆穿过磁流体与万向结连接，通过万向结固定在晶转头上；可使晶体在气氛气下生长，减少杂质进入晶体，改善晶体光学性质，去除晶体在紫外光谱区产生的非本征吸收，提高晶体紫外激光输出功率。