专利详情

专利名称	强磁场下脉冲激光沉积薄膜制备系统
申请号	CN201210324101.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102877032A	公开（授权）日	2013.01.16
申请（专利权）人	中国科学院合肥物质科学研究院	发明（设计）人	戴建明;方军;张科军;吴文彬;孙玉平
主分类号	C23C14/28(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/28(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I
专利有效期	强磁场下脉冲激光沉积薄膜制备系统至强磁场下脉冲激光沉积薄膜制备系统	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种强磁场下脉冲激光沉积薄膜制备系统，包括超导磁体、真空室、准分子脉冲激光器、激光束聚焦与扫描、高真空机组及各种控制系统等组成。真空腔内设有基片台、可旋转和升降的靶台等。在真空室内设有遮挡板，避免靶材的交叉污染，在靶台和基片台附近设有光纤摄像头，便于观察真空室内激光光路对准和薄膜沉积情况。本发明使用了超导磁体，磁场的方向与沉积薄膜的膜面可以平行或垂直，系统可用于0～15特斯拉不同磁场强度下的薄膜原位生长和后退火处理，从而实现对所沉积薄膜的微结构和功能特性的调控。