专利详情

专利名称	一种用于200nm以下线宽超衍射光刻的硅掩模及其制作方法
申请号	CN200910241920.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101726990A	公开（授权）日	2010.06.09
申请（专利权）人	中国科学院光电技术研究所	发明（设计）人	方亮;王长涛;罗先刚;潘丽;刘尧;刘玲;邢卉;刘凯鹏
主分类号	G03F1/08(2006.01)I	IPC主分类号	G03F1/08(2006.01)I
专利有效期	一种用于200nm以下线宽超衍射光刻的硅掩模及其制作方法至一种用于200nm以下线宽超衍射光刻的硅掩模及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种用于200nm以下线宽超衍射光刻的硅掩模及其制作方法，该掩模由紫外透明材料基片上的硅膜作为图形层。其制作方法是：首先在基片上加工一定厚度的硅膜，使其对紫外光的透过率在5％以内；然后在硅膜表面加工一层薄的铬膜；利用聚焦离子束在铬膜上制备线宽小于200nm的图形；以铬膜层为遮蔽层，通过反应离子束刻蚀硅膜，使铬膜上的图形转移至硅膜上；最后用去铬液腐蚀掉残留的铬膜，制成分辨率高、图形层深度大的实用硅掩模。该硅掩模和加工方法解决了聚焦离子束难以制作图形层深度大、线宽小于200nm的铬掩模的技术困难，在纳米光刻技术中具有广阔的应用前景。