专利详情

专利名称	一种可用于光束整形的金属槽缝结构
申请号	CN200910243535.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101726869A	公开（授权）日	2010.06.09
申请（专利权）人	中国科学院光电技术研究所	发明（设计）人	罗先刚;赵泽宇;崔建华;冯沁;李雄
主分类号	G02F1/00(2006.01)I	IPC主分类号	G02F1/00(2006.01)I
专利有效期	一种可用于光束整形的金属槽缝结构至一种可用于光束整形的金属槽缝结构	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种可用于光束整形的金属槽缝结构，包括以下步骤：(1)选择硅基片，并将其表面抛光；然后在其表面溅射沉积一层厚度在所需波长量级的金属膜；(2)采用聚焦离子束光刻技术，在金属膜的一端开始刻蚀沟槽，一个沟槽刻蚀完成后，向另一端周期性地移动聚焦离子束的聚焦位置，重复刻蚀多个沟槽；(3)一边沟槽达到一定数量后，再将聚焦离子束的聚焦位置沿同一方向移动一个周期；将金属层刻透，形成一条缝隙。(4)再沿同一方向周期性地移动聚焦离子束的聚焦位置，重复步骤(2)，刻蚀与步骤(2)中同样数量的沟槽。一种可用于光束整形的金属槽缝结构制作完成。本发明结构简单、制作方便，可以实现以0度角方向为中心在任意的角度范围内实现强度均匀分布的远场辐射。这为微波和光频段的远场电磁辐射控制提供了新的方法和新的功能。