专利详情

专利名称	一种基于亚波长金属孔阵列的电磁完美吸收体
申请号	CN200910243548.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101724811A	公开（授权）日	2010.06.09
申请（专利权）人	中国科学院光电技术研究所	发明（设计）人	罗先刚;冯沁;赵泽宇;胡承刚;崔建华
主分类号	C23C14/04(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/04(2006.01)I;C23C14/10(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I
专利有效期	一种基于亚波长金属孔阵列的电磁完美吸收体至一种基于亚波长金属孔阵列的电磁完美吸收体	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种基于亚波长金属孔阵列的电磁完美吸收体，制作步骤：(1)选择石英基片，并将其表面抛光；然后采用真空蒸镀，在表面抛光后的石英基片表面沉积一层厚度大于50纳米为的金膜；(2)在金膜表面蒸镀一层厚度为35纳米至45纳米的SiO2膜，并在所述SiO2膜上均匀涂覆一层光刻胶；(3)采用电子束光刻的方法，在光刻胶上制备出亚波长介质柱结构，所述亚波长介质柱结构的周期为235纳米-245纳米，占空比为1∶1.35-1∶1.45；(4)采用真空蒸镀技术，在已成型光刻胶上蒸镀厚度为20纳米至25纳米的金膜；(5)采用去胶液，将亚波长介质柱结构和蒸镀在亚波长介质柱结构上的金膜除去，基于亚波长金属孔阵列的电磁完美吸收体制作完成。本发明具有制作简便，厚度小，入射角度大的特性，在电磁能量吸收、转换等领域具有很大的应用前景。