专利详情

专利名称	一种用于生长高质量导电型碳化硅晶体的方法
申请号	CN200910238111.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101724906A	公开（授权）日	2010.06.09
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所;北京天科合达蓝光半导体有限公司	发明（设计）人	陈小龙;鲍慧强;彭同华;王刚;刘春俊;王波;李龙远
主分类号	C30B29/36(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/36(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I
专利有效期	一种用于生长高质量导电型碳化硅晶体的方法至一种用于生长高质量导电型碳化硅晶体的方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明公开了一种高效生长碳化硅晶体的方法，即通过快速生长制备高质量导电型碳化硅晶体的方法。在传统的物理气相传输法生长导电型碳化硅晶体过程中，晶体生长速度通常在0.1-0.5mm/h范围，电阻率≥0.025欧姆·厘米。本发明采用更高的原料温度(2300-2700℃)，较低的生长界面温度(1800-2300℃)，并辅以控制生长体系的氮气压力，可获得高的晶体生长速度(0.6-3mm/h)，晶体的电阻率可达0.01欧姆·厘米，并且晶体的结晶质量很高。实现高质量、低电阻率碳化硅晶体的快速生长，为进一步提高碳化硅晶体产量、降低成本提供必要条件。此外，快速生长碳化硅晶体还具有放大晶体、减少晶体体缺陷等优点。