专利详情

专利名称	高占空比碲镉汞长波红外光电导面阵探测器
申请号	CN200910225371.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101728450A	公开（授权）日	2010.06.09
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	包西昌;朱龙源;李向阳;兰添翼;赵水平;王妮丽;刘诗嘉
主分类号	H01L31/09(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/09(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	高占空比碲镉汞长波红外光电导面阵探测器至高占空比碲镉汞长波红外光电导面阵探测器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种高占空比碲镉汞长波红外光电导面阵探测器，器件结构包括：衬底，此衬底是采用激光打孔机打的直径约为60微米面阵的微孔中电镀金的蓝宝石。碲镉汞材料，该晶片包含双面精抛处理且长阳极氧化膜，的碲镉汞晶片，其中与环氧树脂胶接触的一面增加了一层ZnS抗反膜。环氧树脂胶，此胶的目的是把有ZnS的碲镉汞材料面粘结在衬底上。电极，此电极制作在刻穿碲镉汞晶片后溶解掉环氧树脂胶，形成的与电镀金相对应的面阵及周围部分碲镉汞上，通过井伸工艺连接碲镉汞与电镀金。蓝宝石电路，此电路与芯片背面的电镀金通过蒸镀的铟柱互联，使信号读出。