专利详情

专利名称	背照式碲镉汞长波光导型红外面阵探测器
申请号	CN200910226302.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101728403A	公开（授权）日	2010.06.09
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	赵水平;朱龙源;李向阳;刘诗嘉;兰添翼;王妮丽;蔡子健;贾嘉
主分类号	H01L27/144(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/144(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;G01J1/02(2006.01)I
专利有效期	背照式碲镉汞长波光导型红外面阵探测器至背照式碲镉汞长波光导型红外面阵探测器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种背照式碲镉汞长波光导型红外面阵探测器，其特征在于，包括：一硒化锌衬底；一通过环氧胶固定在衬底上的碲镉汞薄片；与衬底接触的碲镉汞薄片面带有阳极氧化层与ZnS增透层，通过光刻在碲镉汞薄片表面的双层钝化面上形成光敏元面阵，及分别位于光敏元二端的信号引出电极区和公共电极区。信号引出电极区与公共电极区，均从采光面的背面引出，在规定的区域生长铟柱，信号读出电路板生长铟柱，采用铟柱互连的方式。将芯片电极的铟柱和电极板的铟柱连在一起。信号和公用电极区上依次生长有铟层、金层，铟柱。构成背照式碲镉汞长波光导型红外面阵探测器。