专利详情

专利名称	一种二氧化硅包覆量子点的制备方法
申请号	CN200910259810.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101717644A	公开（授权）日	2010.06.02
申请（专利权）人	中国科学院长春应用化学研究所	发明（设计）人	马晓波;聂伟;姬相玲
主分类号	C09K11/88(2006.01)I	IPC主分类号	C09K11/88(2006.01)I
专利有效期	一种二氧化硅包覆量子点的制备方法至一种二氧化硅包覆量子点的制备方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明提供一种二氧化硅包覆量子点的制备方法，包括：将CdSe/CdS核-壳结构量子点分散到环己烷中得到第一混合液；向所述第一混合液中加入正己烷、表面活性剂和正硅酸乙酯得到第二混合液；向所述第二混合液中加入氨水进行反应；将反应产物沉淀并分离得到二氧化硅包覆的量子点。本发明先将CdSe/CdS量子点分散到环己烷中得到第一混合液，然后以正己烷作为分散剂加入到所述第一混合液中，由于正己烷与环己烷极性相近，从而使量子点可以很好地分散在正己烷中，当正硅酸乙酯水解形成SiO2后能够最大限度的包裹在量子点上，得到粒径均匀的SiO2包覆的CdSe/CdS核-壳结构的量子点。与现有技术相比，本发明实验步骤少，操作简单且易控制。