专利详情

专利名称	一种非极性GaN薄膜及其制备方法
申请号	CN200910200280.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101717923A	公开（授权）日	2010.06.02
申请（专利权）人	上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司;中国科学院上海光学精密机械研究所;上海半导体照明工程技术研究中心	发明（设计）人	周健华;潘尧波;颜建锋;郝茂盛;周圣明;杨卫桥;李抒智;马可军
主分类号	C23C16/34(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/34(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I
专利有效期	一种非极性GaN薄膜及其制备方法至一种非极性GaN薄膜及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种非极性GaN薄膜及其制备方法。该薄膜包括：LiAlO2衬底以及在该衬底上依次生长的低温保护层、U-AlGaN层和高温U-GaN层。其制备方法包括如下步骤：步骤一，生长低温保护层：在MOCVD系统中，以LiAlO2(100)面做衬底，在N2保护下，升温到800-950℃；切换到氢气气氛生长低温保护层U-GaN，反应室压力为150-500torr，TMGa流量为1-50sccm；步骤二，生长U-AlGaN层：降低反应室压力至100-300torr，升温到1000-1100℃，生长U-AlGaN层，TMGa流量为10-150sccm，TMAl的摩尔流量与TMGa流量之比为1/5-2；步骤三，生长高温U-GaN层：停止通入TMAl，继续生长U-GaN。本发明可以有效改善(100)面铝酸锂(LiAlO2)衬底上非极性m(10-10)面GaN薄膜的表面形貌，有利于提高器件的工作效率。