专利详情

专利名称	混合材料积累型圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管
申请号	CN200910199721.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101719499A	公开（授权）日	2010.06.02
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	肖德元;王曦;张苗;陈静;薛忠营
主分类号	H01L27/092(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/092(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/16(2006.01)I
专利有效期	混合材料积累型圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管至混合材料积累型圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种混合材料积累型圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管，其包括：具有p沟道的PMOS区域、具有n沟道的NMOS区域及栅区，其特征在于：所述的p沟道及n沟道均为圆柱体，且具有不同的半导体材料，所述的p沟道为Ge材料，所述的n沟道为Si材料；栅区域将所述p沟道及n沟道的表面完全包围；在PMOS与NMOS区域之间、PMOS区域或NMOS区域与Si衬底之间均有埋层氧化层将它们隔离。本器件结构简单、紧凑，集成度高，在积累工作模式下，电流流过整个圆柱形的沟道，具备高载流子迁移率，低低频器件噪声，并可避免多晶硅栅耗尽及短沟道效应，增大了器件的阈值电压。