一种基于超导线圈的强磁场磁控溅射阴极
- 申请号：CN200910093159.1
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院电工研究所
- 公开(公开)号：CN101719457A
- 公开(公开)日：2010.06.02
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种基于超导线圈的强磁场磁控溅射阴极 | ||
| 申请号 | CN200910093159.1 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101719457A | 公开（授权）日 | 2010.06.02 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 邱清泉;肖立业;黄天斌;张国民;李晓航 |
| 主分类号 | H01J37/34(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J37/34(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种基于超导线圈的强磁场磁控溅射阴极 至一种基于超导线圈的强磁场磁控溅射阴极 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种基于超导线圈的强磁场磁控溅射阴极。由平面靶材(1)、水冷背板(2)超导线圈(3)、外磁轭(4)、内磁轭(5)和底磁轭(6)、杜瓦(7)和阴极电源构成；超导线圈(3)置于在由外磁轭(4)、内磁轭(5)和底磁轭(6)包围的空间内，超导线圈(3)和外磁轭(4)、内磁轭(5)和底磁轭(6)安装在杜瓦(7)中，由液氮循环冷却、液氮加制冷机冷却或制冷机直接冷却。超导线圈(3)根据不同应用场合，可绕制成跑道形或圆形结构，通过电流引线连接到外部直流电源。 | ||
交易流程
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