专利详情

专利名称	一种在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法
申请号	CN201010211448.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101901754A	公开（授权）日	2010.12.01
申请（专利权）人	上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	魏星;王湘;李显元;张苗;王曦;林成鲁
主分类号	H01L21/20(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/20(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I
专利有效期	一种在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法至一种在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法	法律状态	著录事项变更
说明书摘要	本发明提供了一种在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法，包括如下步骤：提供支撑衬底与器件衬底；在支撑衬底或器件衬底的表面生长绝缘层；在绝缘层中注入纳米晶改性离子；通过绝缘层将支撑衬底与器件衬底键合在一起；实施键合后的退火加固。本发明的优点在于，通过对工艺顺序的巧妙调整，在不影响其他工艺的前提下，将形成纳米晶所采用的离子注入的步骤调整在键合之前实施的，从而不会影响到器件层的晶格完整性，提高了所制备的SOI材料的晶体质量。