专利详情

专利名称	一种带有绝缘埋层的厚膜材料的制备方法
申请号	CN201010211396.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101901753A	公开（授权）日	2010.12.01
申请（专利权）人	上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	魏星;王湘;杨建;张苗;王曦;林成鲁
主分类号	H01L21/20(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/20(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I
专利有效期	一种带有绝缘埋层的厚膜材料的制备方法至一种带有绝缘埋层的厚膜材料的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种带有绝缘埋层的厚膜材料的制备方法，包括如下步骤：提供一支撑衬底；采用研磨减薄工艺修正所述支撑衬底，以减小衬底的总厚度偏差；抛光支撑衬底表面以降低粗糙度；将支撑衬底与器件层衬底通过一绝缘层键合在一起；将器件层衬底减薄至其厚度与最终器件层目标厚度差的范围是1μm至10μm；抛光减薄后的器件层衬底。本发明的优点在于，通过引入衬底修正的方法对支撑衬底的均匀性进行修正，以提高最终衬底的顶层半导体层的厚度均匀性。