专利详情

专利名称	荷正电纳滤复合膜及其制备方法
申请号	CN201110116320.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102219673A	公开（授权）日	2011.10.19
申请（专利权）人	中国科学院长春应用化学研究所	发明（设计）人	张所波;王海峰
主分类号	C07C63/72(2006.01)I	IPC主分类号	C07C63/72(2006.01)I;C07C51/60(2006.01)I;B01D71/42(2006.01)I;B01D69/10(2006.01)I;B01D67/00(2006.01)I;C08J7/04(2006.01)I
专利有效期	荷正电纳滤复合膜及其制备方法至荷正电纳滤复合膜及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了具有式(I)结构的化合物及其制备方法。本发明还提供了一种荷正电纳滤复合膜，包括：聚丙烯腈支撑层；复合于所述聚丙烯腈支撑层表面的功能层，所述功能层为具有式(I)结构的化合物与哌嗪的聚合物。本发明还提供了一种荷正电纳滤复合膜的制备方法。本发明提供的荷正电纳滤复合膜表现为正电性，不仅具有较高的膜通量，而且对钙、镁等阳离子具有较高的截留率。另外，本发明提供的制备方法工艺简单、原料来源广泛，易于实现工业化生产。实验表明，本发明提供的方法制备得到的荷正电纳滤复合膜的水通量可达50L/m2h，对钙、镁等阳离子的截留率可达95％。