专利详情

专利名称	一种降低相变存储器功耗的单元结构及其制备方法
申请号	CN201010102213.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101834273A	公开（授权）日	2010.09.15
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	杜小锋;马小波;宋志棠;刘卫丽
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I
专利有效期	一种降低相变存储器功耗的单元结构及其制备方法至一种降低相变存储器功耗的单元结构及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种降低相变存储器功耗的单元结构及其制备方法，该单元结构包括集成电路衬底、位于集成电路衬底上的第一绝缘介质层、被第一绝缘介质层包围并与集成电路衬底连接的驱动二极管、被第一绝缘介质层包围并位于驱动二极管上的过渡层、位于第一绝缘介质层上的第二绝缘介质层、被第二绝缘介质层包围并位于过渡层上的下电极、位于第二绝缘介质层上的第三绝缘介质层、被第三绝缘介质层包围并位于下电极上的相变材料层和位于相变材料层上的上电极；所述的过渡层的热导率为0.01W/m·K～20W/m·K。该结构可有效地减少从下电极的热损耗，提高加热效率，并通过对驱动二极管的加热提高其正向导通电流，从而达到降低相变存储器功耗的目的。