基于（Bi2O3）1-X（Y2O3）X固体电解质薄膜的非挥发记忆元件及其制备方法
- 申请号：CN200910079449.0
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院物理研究所
- 公开(公开)号：CN101834272A
- 公开(公开)日：2010.09.15
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 基于（Bi2O3）1-X（Y2O3）X固体电解质薄膜的非挥发记忆元件及其制备方法 | ||
| 申请号 | CN200910079449.0 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101834272A | 公开（授权）日 | 2010.09.15 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 史磊;尚大山;孙继荣;赵同云;沈保根 |
| 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I;C01G29/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I |
| 专利有效期 | 基于（Bi2O3）1-X（Y2O3）X固体电解质薄膜的非挥发记忆元件及其制备方法 至基于（Bi2O3）1-X（Y2O3）X固体电解质薄膜的非挥发记忆元件及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供一种基于(Bi2O3)1-x(Y2O3)x固体电解质薄膜的非挥发性记忆元件，所述非挥发性记忆元件包括衬底、底电极、(Bi2O3)1-x(Y2O3)x固体电解质薄膜和顶电极，其中(Bi2O3)1-x(Y2O3)x固体电解质薄膜夹在底电极和顶电极之间，底电极位于所述衬底上，两条引线分别由底电极和顶电极引出，并且(Bi2O3)1-x(Y2O3)x固体电解质薄膜中x的范围为0.25＜x＜0.43。该非挥发性记忆元件的厚度为10-1000nm。其中的(Bi2O3)1-x(Y2O3)x固体电解质薄膜是利用脉冲激光照射(Bi2O3)1-x(Y2O3)x靶材沉积而成，所述靶材是将Bi2O3粉末和Y2O3粉末混合烧结制备的。本发明的基于(Bi2O3)1-x(Y2O3)x固体电解质薄膜的非挥发性记忆元件具有体积小、结构简单、具有非挥发记忆功能、低能耗、无机械运动部件等优点，并且它的性能对氧气压，温度，和化学计量比等制备条件不敏感。 | ||
交易流程
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