专利详情

专利名称	压电晶体元件
申请号	CN200910047335.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101834268A	公开（授权）日	2010.09.15
申请（专利权）人	上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	郑燕青;孔海宽;涂小牛;陈辉;施尔畏
主分类号	H01L41/08(2006.01)I	IPC主分类号	H01L41/08(2006.01)I;H01L41/18(2006.01)I;H01L41/22(2006.01)I
专利有效期	压电晶体元件至压电晶体元件	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种压电晶体元件，属于晶体元件领域。本发明的压电晶体元件包括压电晶体材料(1)，电极层(2)，引线(3)。所述的压电晶体材料，其化学式为A3+xB1+yAl3+zSi2+mO14+n，其中，-0.2≤x≤0.2，-0.2≤y≤0.2，-0.2≤z≤0.2，-0.2≤m≤0.2，-1.4≤n≤1.4，A为Ca、Sr或者两者的组合，B为Ta、Nb或Sb三种元素中的一种，也可以是三种元素中的几种元素的组合。本发明的压电晶体元件最高使用温度可达1000℃，具有大的高温电阻率、大的压电系数、高的机电耦合系数、室温至熔点没有相变、价格便宜等特性。