专利详情

专利名称	一种改善硅薄膜太阳能电池微结构和电学性能的方法
申请号	CN201010162332.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101834229A	公开（授权）日	2010.09.15
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	肖海波;曾湘波;谢小兵;姚文杰;彭文博;刘石勇
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种改善硅薄膜太阳能电池微结构和电学性能的方法至一种改善硅薄膜太阳能电池微结构和电学性能的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种改善硅薄膜太阳能电池微结构和电学性能的方法，该方法包括：在柔性衬底上，采用等离子体辅助化学气相沉积技术依次生长N型层、本征层和P型层，其中，对本征层的起始层进行氢等离子体刻蚀；沉积完P型层后，将电池从反应室取出，用磁控溅射生长ITO透明电极。利用本发明，能改善硅薄膜太阳能电池微结构和电学性能，同时处理过程简便易行，具有低成本可规模化生产的优点。