专利详情

专利名称	一种低铟掺杂量氧化锌透明导电膜及其制备方法
申请号	CN200910111243.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101834009A	公开（授权）日	2010.09.15
申请（专利权）人	中国科学院福建物质结构研究所	发明（设计）人	曹永革;黄常刚;王美丽
主分类号	H01B5/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01B5/00(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I;H01B1/00(2006.01)I;H01B1/02(2006.01)I;C03C17/00(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I
专利有效期	一种低铟掺杂量氧化锌透明导电膜及其制备方法至一种低铟掺杂量氧化锌透明导电膜及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种用铟掺杂氧化锌透明导电膜材料及其制备方法。该方法采用多靶共溅磁控溅射技术，采用氧化锌陶瓷靶和铟金属靶共溅的方法，在普通碱玻璃及石英玻璃衬底上制备出具有多晶结构的ZnO:In透明导电膜。工艺条件为：氩气和氧气混合工作气体压强为0.2～2.0Pa，氧气与氩气体积比为0～0.2，氧化锌靶及铟靶溅射功率分别为50～200W和5～40W，衬底温度为室温～500℃，偏压为0～-200V。制得的透明导电膜中铟原子数含量低至2％，具有很好的导电性能，在400～1100nm透过率大于90％，可替代ITO广泛应用于太阳能电池和平板显示等领域。