专利详情

专利名称	MEMS圆片级气密封装的单腐蚀槽结构及方法
申请号	CN200910198656.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101704497	公开（授权）日	2010.05.12
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	陈骁;罗乐
主分类号	B81B7/02(2006.01)I	IPC主分类号	B81B7/02(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I
专利有效期	MEMS圆片级气密封装的单腐蚀槽结构及方法至MEMS圆片级气密封装的单腐蚀槽结构及方法	法律状态	专利申请权、专利权的转移
说明书摘要	本发明涉及一种MEMS圆片级气密封装的单腐蚀槽结构及方法，其特征在于在硅盖板上，在玻璃浆料密封环落入的区域内有一条环状的腐蚀槽。所述的环状腐蚀槽的宽度为玻璃浆料密封环宽度的1.3-1.5倍。所述腐蚀槽的深度为8-12μm。所述的封装方法是先在丝网印刷前，硅盖板上用刻蚀工艺刻蚀出环状的腐蚀槽阵列，然后丝网印刷机定位印刷到硅盖板的单腐蚀槽内，然后与带有MEMS器件阵列的硅片实现键合。由于单腐蚀槽的结构严格限制了玻璃浆料的键合尺寸，因而大大提高气密封装的成品率。