专利详情

专利名称	对薄膜金属材料上电子束曝光临近效应的改善方法
申请号	CN200910032300.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101691205	公开（授权）日	2010.04.07
申请（专利权）人	苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	时文华;王逸群;曾春红;张宝顺
主分类号	B82B3/00(2006.01)I	IPC主分类号	B82B3/00(2006.01)I
专利有效期	对薄膜金属材料上电子束曝光临近效应的改善方法至对薄膜金属材料上电子束曝光临近效应的改善方法	法律状态	专利申请权、专利权的转移
说明书摘要	本发明公开了一种对薄膜金属材料上电子束曝光临近效应的改善方法，先对SOI衬底的底层Si进行厚度削减及抛光；再在其顶层Si生长薄膜金属；并对其正反面覆盖刻蚀阻挡层；对底层Si进行光刻或结合刻蚀，形成刻蚀窗口，并深度刻蚀至埋层SiO2，形成基于埋层SiO2的背面深孔与正面薄膜结构；去除SOI衬底上剩余的刻蚀阻挡层后在薄膜金属表面涂覆电子束抗蚀剂，并进行电子束直写曝光、显影、定影，得到所需的极限纳米级图形。籍由以SOI作为薄膜金属的衬底材料，并对SOI面向所需图形生成区域的背面进行深度刻蚀的工艺，极大地降低了电子束临近效应的不利影响，为在金属薄膜材料上生成极限纳米级图形提供了一种实施简便、图形精度高且成本低廉的电子束曝光改善方法。