专利详情

专利名称	一种磁光电流传感器及其制造方法
申请号	CN200910183929.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101672870	公开（授权）日	2010.03.17
申请（专利权）人	苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	焦新兵;蒋春萍
主分类号	G01R19/00(2006.01)I	IPC主分类号	G01R19/00(2006.01)I;G01R15/24(2006.01)I
专利有效期	一种磁光电流传感器及其制造方法至一种磁光电流传感器及其制造方法	法律状态	专利申请权、专利权的转移
说明书摘要	本发明公开了一种磁光电流传感器及其制造方法，包括沿光路设置的光源、起偏器、磁光传感单元、检偏器及方位探测器，其中该磁光传感单元为保护层、永磁薄膜和磁光材料层叠生长结构；制造时，首先制备清洁、干燥的磁光材料，然后在真空条件下对磁光材料生长永磁薄膜，再在永磁薄膜上生长 SiN或SiO₂薄膜保护层，最后利用永磁机对磁光传感单元的永磁薄膜进行充磁。本发明利用永磁薄膜，使得光路通过的磁场强度大、平行度好，有效增大了偏振光的旋转角，提高了传感器的感应精度。此外，该磁光电流传感器的光路元件少，系统设计更简便，可靠性更高。