制备CIS薄膜及器件的非真空液相化学法合成方法
- 申请号：CN200910152060.4
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学技术大学
- 公开(公开)号：CN101694854A
- 公开(公开)日：2010.04.14
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 制备CIS薄膜及器件的非真空液相化学法合成方法 | ||
| 申请号 | CN200910152060.4 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101694854A | 公开（授权）日 | 2010.04.14 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学技术大学 | 发明（设计）人 | 朱长飞;罗派峰;杨文兵;江国顺 |
| 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 专利有效期 | 制备CIS薄膜及器件的非真空液相化学法合成方法 至制备CIS薄膜及器件的非真空液相化学法合成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提出一种制备铜铟硒CIS薄膜的非真空液相化学法合成方法，包括以下步骤：制备前驱体料浆；利用所述前驱体料浆制备预制膜；硒化所述预制膜，得到黄铜矿结构的CIS薄膜。并且，利用本发明制备出的所述CIS薄膜成功制备出了电池器件。通过本发明可大面积均匀成膜，生产成本低，制程简单，易于大规模工业化生产，对CIS薄膜太阳能电池的发展具有重要推动作用。 | ||
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