专利详情

专利名称	产生中性粒子束的装置及方法
申请号	CN201110288064.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102290314A	公开（授权）日	2011.12.21
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	席峰;李勇滔;李楠;张庆钊;夏洋
主分类号	H01J37/32(2006.01)I	IPC主分类号	H01J37/32(2006.01)I;H05H3/00(2006.01)I
专利有效期	产生中性粒子束的装置及方法至产生中性粒子束的装置及方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种产生中性粒子束的装置，包括反应腔体、放置芯片的载片台、等离子源、上网板，所述上网板、等离子源和所述载片台设置在所述反应腔体内部，所述上网板设置在所述等离子源上方，所述等离子源和所述载片台之间依次设置有中网板、绝缘板及下网板；所述上网板和所述下网板分别连接一直流偏压，所述中网板接地。本发明还公开一种产生中性粒子束的方法。根据提供的产生中性粒子束的装置及方法，使正、负离子等不同粒子都能实现中性化提高了离子的中性化效率，保证了混合气体中的不同种离子都会产生相应的刻蚀作用，适应了不同气体组合，以满足不同刻蚀工艺的要求。