专利详情

专利名称	一种基于双面表面应力的压阻式微纳传感器及其制备方法
申请号	CN201110146831.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102809452A	公开（授权）日	2012.12.05
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	陈滢;李昕欣
主分类号	G01L1/20(2006.01)I	IPC主分类号	G01L1/20(2006.01)I;G01L1/18(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	一种基于双面表面应力的压阻式微纳传感器及其制备方法至一种基于双面表面应力的压阻式微纳传感器及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种压阻式微纳传感器，用于检测双面表面应力；所述压阻式微纳传感器包括氧化层包裹的微纳双端固支梁以及离子掺杂区域沿厚度方向完全贯穿微纳双端固支梁的压阻，利用微纳双端固支梁双面受到相同的表面应力时沿该梁轴向产生的轴向应力效应进行检测。为适用于检测双面表面应力，将压阻深度贯穿梁厚度；使用微机械加工工艺制作出检测双面表面应力的压阻式微纳传感器。相比于现有的技术，本发明技术方案利用纳米厚度的双端固支梁检测双面表面应力，避免了传统压阻掺杂区域不能超过中性面的限制，同时得到更高的压阻检测灵敏度。