专利详情

专利名称	多量子阱半导体激光器及其制备方法
申请号	CN201210275276.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102801108A	公开（授权）日	2012.11.28
申请（专利权）人	中国科学院西安光学精密机械研究所	发明（设计）人	张普;刘兴胜;熊玲玲;王贞福;刘晖;聂志强
主分类号	H01S5/34(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/34(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I
专利有效期	多量子阱半导体激光器及其制备方法至多量子阱半导体激光器及其制备方法	法律状态	专利申请权、专利权的转移
说明书摘要	本发明提供了一种多量子阱半导体激光器及其制备方法，以提高多量子阱半导体激光器的散热效率，实现大功率、高可靠的激光输出。该多量子阱半导体激光器，包括多个量子阱层以及设置于各量子阱层之间的势垒层，其特殊之处在于：每个量子阱层设置有一个或多个发光区，相邻量子阱层的发光区相互错开。本发明采用量子阱层发光区相互交错的方式，降低了有源区热串扰，减小了系统热阻；可实现激光大功率输出。