专利详情

专利名称	利用电磁倏逝波的相位变化测量介质损耗的方法
申请号	CN201110139419.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102798764A	公开（授权）日	2012.11.28
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	蒋寻涯;李伟
主分类号	G01R27/26(2006.01)I	IPC主分类号	G01R27/26(2006.01)I
专利有效期	利用电磁倏逝波的相位变化测量介质损耗的方法至利用电磁倏逝波的相位变化测量介质损耗的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种利用电磁倏逝波的相位变化测量介质损耗的方法，其包括步骤：1）在预先给定频率的电磁波内确定待测介质折射率的实部，并把该待测介质定义为光疏介质；2）寻找一个折射率已知并且折射率实部大于待测介质的折射率实部的光密介质，并把光密介质和待测介质构成全反射系统；3）用预先给定频率的电磁波从光密介质向待测介质入射，并调节入射角度，使电磁波在光密介质和待测介质的界面处发生全反射，并在待测介质内部产生倏逝波；4）在待测介质中选择一个测量点，测量倏逝波相位的变化；并根据倏逝波相位的变化来计算待测介质折射率的虚部。该测量方法不仅能无损反复进行，还可实现超高精度的测量。