专利详情

专利名称	一种嵌入区的形成方法以及嵌入源漏的形成方法
申请号	CN201110129620.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102789984A	公开（授权）日	2012.11.21
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王鹤飞;骆志炯;刘佳
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I
专利有效期	一种嵌入区的形成方法以及嵌入源漏的形成方法至一种嵌入区的形成方法以及嵌入源漏的形成方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明实施例公开了一种嵌入区的形成方法，所述方法包括：提供衬底以及衬底上的第一结构；在位于第一结构至少一侧的衬底上形成沟槽；进行淀积，在沟槽、衬底、第一结构及第一结构侧壁上形成至少一层填充层；在位于所述沟槽上方的填充层上形成保护层；去除位于所述衬底表面以上的填充层，以使得所述填充层仅保留在所述沟槽中；去除所述保护层。由于是通过淀积的方法，衬底和填充层的材料都不受限制，可以根据器件性能需求任意配置，具有通用性。此外，在保护层的掩盖下，沟槽内的填充层不会受到中间刻蚀工艺的损伤，保证了填充层的质量。