专利详情

专利名称	一种用于质子电子双共振成像的磁场循环装置
申请号	CN201210350926.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102879754A	公开（授权）日	2013.01.16
申请（专利权）人	中国科学院电工研究所	发明（设计）人	王慧贤;杨文晖;王铮;魏树峰;张晓兵
主分类号	G01R33/62(2006.01)I	IPC主分类号	G01R33/62(2006.01)I
专利有效期	一种用于质子电子双共振成像的磁场循环装置至一种用于质子电子双共振成像的磁场循环装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种用于质子电子双共振成像的磁场循环装置，利用永磁体作为基础主磁场，利用电磁磁体产生偏置磁场。所述的永磁磁体（101）采用C型开放式结构；所述的电磁磁体（106）置于永磁磁体成像空间内，采用亥姆霍兹结构，由两个半径和匝数均相同的线圈同轴排列串联连接；对偏置磁场采用主动屏蔽的方法来减小由磁场循环带来的涡流影响，主动屏蔽线圈（104）由上、下两个半径和匝数均相同的线圈同轴排列串联构成。同时本发明利用扫场的方式，确保电子的顺磁共振激发，扫场线圈采用亥姆霍兹结构，在成像区域产生均匀磁场，该均匀磁场在一个时间周期内随时间线性变化，以扫描射频脉冲激发电子顺磁共振所需的磁场环境。