专利详情

专利名称	一种存储器的选通方法及实现该方法的电路结构
申请号	CN200910197499.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101694779A	公开（授权）日	2010.04.14
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	丁晟;宋志棠
主分类号	G11C8/08(2006.01)I	IPC主分类号	G11C8/08(2006.01)I;G11C5/00(2006.01)I
专利有效期	一种存储器的选通方法及实现该方法的电路结构至一种存储器的选通方法及实现该方法的电路结构	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种存储器的选通方法及实现该方法的电路结构。所述存储器采用二极管作为选通器件，进行读写操作时，针对要操作的存储单元，给其位线施加操作脉冲、字线电压拉低；针对不要进行读写操作的，并与要操作单元处于同一字线的存储单元，给其位线施加一个高于字线电压的直流电压，以使得因为寄生三极管效应而产生的漏电流为零，从电路上彻底解决因为该漏电流而造成的串扰问题。上述高于字线电压的直流电压通过外围电路产生。