专利详情

专利名称	薄膜沉积方法
申请号	CN201110197889.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102877041A	公开（授权）日	2013.01.16
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	孟令款
主分类号	C23C16/505(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/505(2006.01)I;C23C16/04(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I
专利有效期	薄膜沉积方法至薄膜沉积方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种薄膜沉积方法，包括：对第一沉积腔体热机；对第二沉积腔体热机；对第一沉积腔体预处理，在第一沉积腔体内沉积薄膜，对第一沉积腔体清洗(Clean)、后处理并退出晶片；对第二沉积腔体预处理，在第二沉积腔体内沉积薄膜，对第二沉积腔体清洗(Clean)、后处理并退出晶片；其特征在于，对第二沉积腔体热机的步骤与对第一沉积腔体热机的步骤之间具有一定的时间间隔。依照本发明的稳定薄膜厚度的方法，能良好解决沉积过程中每批次产品的第一对晶片上薄膜厚度变薄或者变厚的问题。此外，本发明在不增加热机晶片的情况下，大大节省了人力因素的影响，实现了自动化；并且，受影响的晶片不再需要报废，提升了产品的良率。