专利详情

专利名称	硅烷胍基复合阴离子膜以及制备和应用
申请号	CN201110186931.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102867971A	公开（授权）日	2013.01.09
申请（专利权）人	中国科学院大连化学物理研究所;大连融科储能技术发展有限公司	发明（设计）人	张华民;曲超;张凤祥;刘波;史丁秦;王晓丽
主分类号	H01M8/02(2006.01)I	IPC主分类号	H01M8/02(2006.01)I;H01M2/16(2006.01)I;C08J9/42(2006.01)I;C08J7/12(2006.01)I;C08G77/50(2006.01)I
专利有效期	硅烷胍基复合阴离子膜以及制备和应用至硅烷胍基复合阴离子膜以及制备和应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种硅烷胍基复合阴离子膜及其制备方法和应用，该类膜由具有重复单元的无序体型硅烷胍类聚合物制备而成，由于含有大量的易传导阴离子的胍基团，同时硅烷的保水能力也提高了膜的离子传导能力，使膜具有电导率高的特点；硅烷胍与其他非传导离子介质复合后，具有优良的膜尺寸稳定性和机械强度，提高了膜的化学和机械稳定性。