专利详情

专利名称	MOSFET及其制造方法
申请号	CN201110189100.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102867750A	公开（授权）日	2013.01.09
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	朱慧珑;梁擎擎;骆志炯;尹海洲
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I
专利有效期	MOSFET及其制造方法至MOSFET及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本申请提供了一种MOSFET及其制造方法，该MOSFET包括：半导体衬底；半导体衬底上的第一绝缘埋层；在第一绝缘埋层上的第一半导体层中形成的背栅；第一半导体层上的第二绝缘埋层；在第二绝缘埋层上的第二半导体层中形成的源/漏区；第二半导体层上的栅极；以及源/漏区、栅极和背栅的电连接，其中，背栅包括位于源/漏区下方的第一导电类型的第一背栅区和位于沟道区下方的第二导电类型的第二背栅区，第一背栅区与第二背栅区彼此邻接，第一导电类型与第二导电类型相反，背栅的电连接包括与第一背栅区之一接触的导电通道。该MOSFET利用PNP结或NPN结形式的背栅灵活地调节任意导电类型的MOSFET的阈值电压，并且减小了源/漏区之间经由背栅的漏电流。