专利详情

专利名称	确定场效应管老化条件的方法、场效应管老化方法及场效应管筛选方法
申请号	CN201110163890.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102832102A	公开（授权）日	2012.12.19
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	赵妙;刘新宇;郑英奎;欧阳思华;李艳奎
主分类号	H01L21/02(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/02(2006.01)I;G01R31/26(2006.01)I;B07C5/344(2006.01)I
专利有效期	确定场效应管老化条件的方法、场效应管老化方法及场效应管筛选方法至确定场效应管老化条件的方法、场效应管老化方法及场效应管筛选方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种确定场效应管老化条件的方法、一种场效应管老化方法及一种场效应管筛选方法，可以通过在预设的老化台温度下，为场效应管施加多个不同直流功率，并检测与直流功率对应的峰值结温，从而获得老化台温度、直流功率与峰值结温之间的关系方程式。只需要根据场效应管的最高允许结温，就可以使用所获得的关系方程式确定老化中老化台的温度和需要为场效应管施加的直流功率值，从而实现了场效应管的高效老化。