专利详情

专利名称	基于镍铜复合衬底的层数可控石墨烯薄膜及其制备方法
申请号	CN201210359830.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102828244A	公开（授权）日	2012.12.19
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	丁古巧;朱云;谢晓明;江绵恒
主分类号	C30B29/06(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/06(2006.01)I;C23C8/20(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I;C01B31/02(2006.01)I
专利有效期	基于镍铜复合衬底的层数可控石墨烯薄膜及其制备方法至基于镍铜复合衬底的层数可控石墨烯薄膜及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及石墨烯薄膜制备领域，具体公开了一种基于镍铜复合衬底的层数可控石墨烯薄膜材料及其制备方法，包括如下步骤：1）镍铜复合衬底的制备；2）渗碳：将铜镍复合衬底加热至200～300℃后，通入碳源气体和载气，保温30～240min，对镍层进行渗碳；3）析碳：切断碳源气体的供应，将铜镍复合衬底温度升高到300～1000℃，通入载气，保温10-180min，获得基于镍铜复合衬底的石墨烯薄膜。本发明的有益效果为，不仅提出了新的制备工艺，使石墨烯的层数控制更加容易，还解决了目前复合衬底制备成本高的问题，获得了一种成本低、制备方法简单易控，产品质量好、面积大的石墨烯薄膜材料。