谐振式微型电场传感器
- 申请号：CN200810222769.2
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院电子学研究所
- 公开(公开)号：CN101685119
- 公开(公开)日：2010.03.31
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 谐振式微型电场传感器 | ||
| 申请号 | CN200810222769.2 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101685119 | 公开（授权）日 | 2010.03.31 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 彭春荣;夏善红 |
| 主分类号 | G01R29/12(2006.01)I | IPC主分类号 | G01R29/12(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I |
| 专利有效期 | 谐振式微型电场传感器 至谐振式微型电场传感器 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种谐振式微型电场传感器，包括：一衬底；具有梳齿结 构的激励电极由锚点固定在衬底的一侧；具有梳齿结构的振动敏感电极由 锚点固定在衬底的另一侧；屏蔽电极和电场感应电极固定在激励电极和振 动敏感电极中间位置的衬底区域上，其中，屏蔽电极和电场感应电极交错 排列；横梁，位于屏蔽电极的中部；支撑梁，支撑梁的一端由锚点固定在 衬底上，另一端与激励电极和振动敏感电极连接。本发明可以降低器件的 静电激励电压，提高传感器的灵敏度和精度，进一步增强其环境抗干扰能 力。 | ||
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