专利详情

专利名称	键合结构及其制备方法
申请号	CN201110156362.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102820268A	公开（授权）日	2012.12.12
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	于大全;王惠娟
主分类号	H01L23/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L23/00(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I
专利有效期	键合结构及其制备方法至键合结构及其制备方法	法律状态	专利申请权、专利权的转移
说明书摘要	本发明实施例公开了一种键合结构及其制备方法。所述键合结构包括：其内具有连接孔的本体层；位于所述连接孔内的导电物质填充体；位于本体层正面、导电物质填充体之上、且宽度大于所述导电物质填充体宽度的第一导电凸块；位于所述第一导电凸块上的第一缓冲层；位于所述第一缓冲层上的第一钎料层。本发明所提供的键合结构，在第一导电凸块与第一钎料层之间存在第一缓冲层，所述第一缓冲层在低温条件下可阻止第一钎料层向第一导电凸块内扩散，在高温条件下又可融入所述第一钎料层中，因此，本发明所提供的键合结构只需采用小剂量的钎料即可实现键合，且键合后键合界面的结合强度较高，可大大提高键合良率。