专利详情

专利名称	微型电场传感器的抗静电积累封装结构
申请号	CN200810222768.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101683966	公开（授权）日	2010.03.31
申请（专利权）人	中国科学院电子学研究所	发明（设计）人	彭春荣;夏善红
主分类号	B81B7/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81B7/00(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I
专利有效期	微型电场传感器的抗静电积累封装结构至微型电场传感器的抗静电积累封装结构	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种微型电场传感器的封装结构，可实现抗静电积累，消除自身带电等影响，提高实际探测的可靠性和稳定。所述微型电场传感器封装结构主要包括由两个同样的探测单元和封装支撑结构三部分组成，其中每个探测单元主要包括一基板、一导体封盖、一传感器芯片等。其中所述传感器分别装载在基板上，并淀积金属和布线，可制备传感器的检测电路，通过简单、高效的密封技术实现基板和导电封盖的紧密结合。所述探测单元通过倒装焊技术实现结构的对称布置，并利用所述传感器封装的支撑结构进行整个封装结构的固定和安装。本发明可实现微型电场传感器的系统级封装。