专利详情

专利名称	低温晶片键合的方法
申请号	CN200810222336.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101677057	公开（授权）日	2010.03.24
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	彭红玲;陈良惠;郑婉华;石岩;渠红伟;杨国华;何国荣
主分类号	H01L21/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/00(2006.01)I;H01L21/18(2006.01)I
专利有效期	低温晶片键合的方法至低温晶片键合的方法	法律状态	授权
说明书摘要	一种低温晶片键合的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将单面抛光的Si外延片和InGaAs外延片用有机溶剂清洗，去除表面的有机物，该InGaAs外延片的底层为InP衬底；步骤2：再分别对Si外延片和 InGaAs外延片进行表面处理，以去除表面的杂质离子、除碳和亲水性处理；步骤3：将Si外延片和InGaAs外延片进行贴合，贴合后的晶片对置于真空键合机内键合，进行第一次热处理，以驱除键合界面的水气；步骤4：对键合后的晶片进行减薄；步骤5：再对减薄后的晶片进行第二次热处理；步骤6：最后腐蚀掉键合晶片的InP衬底，完成低温晶片键合的制作。