专利详情

专利名称	一种双端口静态随机存取存储器单元
申请号	CN200810222331.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101677016	公开（授权）日	2010.03.24
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	高雷声;周玉梅;蒋见花
主分类号	G11C11/413(2006.01)I	IPC主分类号	G11C11/413(2006.01)I;G11C11/416(2006.01)I;G11C11/419(2006.01)I
专利有效期	一种双端口静态随机存取存储器单元至一种双端口静态随机存取存储器单元	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种双端口静态随机存取存储器单元，包括：一写入电路，具有两个作为传输门的PMOS晶体管，根据字线的控制信号，将来自位线的输入数据信号写入；一数据存储电路，包括四个晶体管，由两个反相器构成锁存电路，用于通过所述写入电路存储来自外部的输入数据信号；一读取电路，包括两个NMOS晶体管，用于根据读选择控制信号，读取所述数据存储电路存储的输入数据信号。本发明提供的这种双端口静态随机存取存储器单元，读操作和写操作的位置分开，因此能够互不干扰地同时读写数据，同时又能在高速状态下工作。