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一种制作微透镜阵列的方法

  • 申请号:CN200810222332.9
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
  • 公开(公开)号:CN101676798
  • 公开(公开)日:2010.03.24
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种制作微透镜阵列的方法
申请号 CN200810222332.9 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN101676798 公开(授权)日 2010.03.24
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 董立军
主分类号 G03F7/00(2006.01)I IPC主分类号 G03F7/00(2006.01)I;G03F7/16(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;G03F7/26(2006.01)I;G03F7/42(2006.01)I;G02B3/00(2006.01)I
专利有效期 一种制作微透镜阵列的方法 至一种制作微透镜阵列的方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种制作微透镜阵列的方法,该方法包括:在透明衬底 上匀一层光刻胶;对该光刻胶层进行曝光显影,形成方形的光刻胶块; 熔融该方形光刻胶块并迅速冷却至室温,形成具有微透镜形状的光刻胶掩 膜;从透明衬底具有微透镜形状光刻胶掩膜的一面进行离子注入,在透明 衬底中形成具有不同折射率的两层材料,其中一层材料具有微透镜形状; 去除透明衬底上的光刻胶掩膜,形成具有不同折射率两种材料并且具有微 透镜的阵列结构。利用本发明,可以制作多层透镜阵列,并能够与传统的 集成电路离子注入光刻工艺相集成,适合大规模生产。

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