一种单层β相氢氧化镍二维纳米单晶片及其合成方法
- 申请号：CN200810071777.1
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院福建物质结构研究所
- 公开(公开)号：CN101676441
- 公开(公开)日：2010.03.24
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种单层β相氢氧化镍二维纳米单晶片及其合成方法 | ||
| 申请号 | CN200810071777.1 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101676441 | 公开（授权）日 | 2010.03.24 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 李广社;唐长林;李莉萍 |
| 主分类号 | C30B29/10(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/10(2006.01)I;C30B29/64(2006.01)I;C01G53/04(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种单层β相氢氧化镍二维纳米单晶片及其合成方法 至一种单层β相氢氧化镍二维纳米单晶片及其合成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及纳米材料技术领域。该单晶片盐a-b平面生长，尺寸为近100nm， 厚度为c-轴方向，大小约为1个晶胞长度。单晶片表面清洁，无须其它衬底生长 且可以孤立稳定地存在。单层β-Ni(OH)2二维纳米单晶片采用水热方法制备。将 可溶性镍盐溶于无水乙醇中，然后加入强碱溶液，搅拌并让混合溶液在80～200℃ 反应，冷却后洗涤并干燥。 | ||
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